マイクロ波プラズマＣＶＤによる高配向ダイヤモンド膜の合成

佐賀大学　機器分析センター　　　　　　　　　　　　　　　　　
○池田　　進、芳尾　真幸、永野　正光

　シリコン基板上へバイアス法により高配向ダイヤモンド膜の合成を検討した。バイアス処理時のメタン濃度や処理時間と高配向化の関係を明らかにした。高メタン濃度では基板面に平行なダイヤモンドの成長は見られないが、バイアス処理後に低濃度のメタン−水素雰囲気でエッチング処理を施すことで面内方位が揃った高配向ダイヤモンド膜が成長することを明らかにした。